「钨退钼进」：海力士375层NAND背后，真正的赢家是这两类上游美股

原文作者：Ada，深潮 TechFlow

据行业研究机构 TrendForce 消息，海力士已完成 375 层 NAND 设计验证，量产计划于 2026 年底启动，公司将转换现有产能投产。海力士 375 层 NAND 的验证完成，把一个酝酿多年的产业拐点推到了台前，芯片里用了近四分之一个世纪的钨，正在被钼取代。这场材料替代的真正赢家不在存储厂，反而在卖设备和卖耗材的上游。

钨撑了近 25 年，缩放正逼出它的物理边界

值得一提的是，在金属布线中第一个引入钼的是三星，不是海力士。三星早在其 286 层第九代 NAND 上就已采用钼，该产品于 2024 年 4 月量产，目前正将钼的使用扩展至更多工艺步骤。海力士此番是自家产品线上首次用钼，在行业坐标里属于追赶，而非首创。

这款 375 层产品本身也有一段下修史。据 TheElec，海力士内部原本对标 400 层级，因高层堆叠的制造复杂度，最终下修到 375 层。即便如此，它仍是海力士 NAND 路线图上的关键一跃，更远的 480 层与 604 层产品被认为将更彻底地依赖钼。

钼替代钨虽然并非存储独有，但却带来了一场行业级拐点。据报道，钨作为互连金属在 NAND、DRAM 及逻辑/代工的中段工艺中沿用了近 25 年，但缩放要求如今正在突破钨的边界，钼成为最被看好的替代候选。

钼的优势不止于低电阻。与钨和铜不同，钼无需阻挡层即可防止扩散，省去工序，提升良率；其高熔点与抗氧化特性支持直接沉积，更适配 3D NAND 与逻辑端的 GAA（全环绕栅极）等高深宽比结构。换言之，层数越往上堆、节点越往下走，钨越吃力，钼的渗透空间越大。这正是「卖铲人」逻辑成立的根基，替代一旦铺开，受益的是提供工具与材料的环节。

Lam Research：唯一已量产 ALD 钼工具的卖铲人

这条线里最直接、叙事最硬的是就是 Lam Research（LRCX）。其 2025 年 2 月推出的 ALTUS Halo，被公司称为业界首款将钼用于量产的原子层沉积（ALD）工具，多数情况下电阻较传统钨金属化改善超过 50%。Lam 方面披露，早期采用已在韩国与新加坡的高产能 3D NAND 工厂以及先进逻辑工厂展开，韩国对应三星与海力士，新加坡对应美光。

生意弹性藏在工序的复杂化里。据 Zacks 研究，Lam 目前是唯一一家已有 ALD 钼工具投入量产的供应商，服务代工与 NAND 客户；钼沉积虽更慢、更复杂，却能让 Lam 在这些先进节点上的单晶圆金属沉积可服务市场（SAM）扩大至三倍。工序变难，对设备商反而是增量。

Entegris 卖耗材，美光是美股唯一纯存储标的

应用材料（AMAT）走的是另一条路径。今年 2 月，它推出 Spectral ALD 系统，用钼取代当今晶体管接触中的钨，在晶体管与铜布线网络之间这一关键连接处降低电阻，目前已被多家领先逻辑代工厂采用。需要区分的是，Lam 的钼故事偏 NAND/DRAM 字线，AMAT 的钼故事偏 2nm GAA 逻辑接触，两者下游不同，不能并作同一受益逻辑。

材料端的代表是 Entegris（ENTG）。该公司供应钼的固态前驱体二氯二氧化钼（MoO₂Cl₂），专为 DRAM 与 3D NAND 定制，并配套 ProE-Vap 输送系统。其逻辑在于材料切换的连锁效应。据 Entegris，从铜和钨转向钼这一项变化将波及前驱体选择、抛光垫设计、研磨液配方、刻蚀材料与过滤等多个环节，工艺更分散，但贯穿多工序。

至于存储厂本身，三星与海力士均不在美股主板，美光（MU）是美股里唯一的纯正存储标的，且在钼上抢了身位。Lam 援引美光 NAND 开发副总裁 Mark Kiehlbauch 的说法，称钼金属化让美光在最新一代 NAND 产品上率先实现业界领先的 I/O 带宽与存储容量。不过，美光是「用钼的人」而非「卖钼受益的人」，其股价驱动主要仍是存储周期与 HBM，钼只是性能加分项。

钼矿商沾光？半导体需求只是零头

理论上，钼金属矿商也算这条叙事的边缘受益者，美股可对应以钼为铜矿副产品的 Freeport-McMoRan（FCX）。但半导体的钼用量级实在太小。据 TheElec 及行业估算，三星去年采购约 4 吨钼，今年约 10 吨，海力士起步约 4 吨，全行业到 2030 年预计也仅 80 吨级别。相对于以钢铁合金为主，年消耗以数十万吨计的全球钼市场，半导体需求只是零头。把矿商股价挂到 NAND 叙事上，是站不住的因果。

这也圈定了「钨退钼进」故事的真正落点，海力士 375 层只是起点，真正的射程横跨 NAND、DRAM 与材料三大品类。在这场金属换代里，卖工具和卖耗材的环节确定性更高，用钼的存储厂是性能受益方而非估值受益方，金属端则基本沾不上光。

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